MOSFET 냉각 성능 향상을 위한 Heat Sink 설계

MeshFree 전자전기 열전달해석

해석배경

 

Heat Sink는 칩 내부 온도를 최대한 낮추기 위하여 MOSFET에 장착됩니다.

이 실험에서는 Heat Sink의 냉각성능을 정확하게 평가하기 위하여 정상상태 및 과도 열 전달 해석을 수행하였습니다.

 

33.

MOSFET Chip 이미지

 

해석목적

 

•  과열에 의한 손상 방지를 위해 장착한 Heat Sink 냉각성능 평가
•  Heat Sink 사용 시 MOSFET의 열변형 검토

해석모델 및 해석조건

 

•  모델링 : 3D Solid Element
•  하중 조건 : Chip part 에 시간에 따른 발열하중 입력
•  설계 조건
  - 방열 면적 면적 증가를 통한 냉각 성능 향상
  - 재질 변경을 통한 냉각 성능 향상

 

해석모델1-7 해석모델2-5

MOSFET의 FE 모델

해석결과

 

기존 설계안의 해석 수행 결과, Heat Sink의 냉각 성능이 적절하게 작동하지 않아 설계 개선이 필요하다라는 결과가 도출되었습니다.  개선된 설계안에서는 방열 면적을 15 % 증가시키고 재료에 구리를 추가하였습니다.그 결과,  내부 최대 온도가 44 °로 감소하였고 냉각 성능을 성공적으로 개선할 수 있었습니다.

 

  • 기존안 최대 온도 : 176 > 허용 온도 : 150

  • 개선안 최대 온도 : 132  < 허용 온도 : 150
    방열 면적 증가 + 재질 변경 (전도 및 대류 성능 향상)

  • 히트 싱크의 전도 및 대류 성능 향상을 통하여 냉각 성능 개선

해석결과1-3 해석결과2-612

기존 설계안 FE모델(상) - 재설계된 FE모델(하)

 

해석결과3_176도 해석결과4_132도

기존 설계안 MOSFET 온도분포 형상 (좌) - 재설계된 MOSFET 온도분포 형상 (우)
최대 온도 176℃ (재설계 필요)     최대 온도 132℃ (설계기준 만족)

해석결과5-1

기존 설계안 및 개선안의 온도-시간 그래프 비교

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