MTS를 활용한 해석 사례 | midas MTS

Wafer Probe Card 열변형 및 밀림현상 해석

Written by MIDASIT | Dec 16, 2021 2:18:41 AM

해석배경

 

Probe Card는 전자 테스트 시스템과 반도체 웨이퍼 사이의 인터페이스로 인쇄 회로 기판(PCB)과 일부 형태의 접촉 요소로 구성됩니다. Probe Card는 Wafer Prober에 삽입되며, 그 내부에서 Prober Wafer 사이에 접촉에 정확하게 이루어지도록 Wafer의 위치를 조정하며 실험을 진행합니다. 이때  Probe Card의 효율은 Probe Card와 Wafer사이의 접촉부를 변형 시킬 수 있는 여러 요인 중 온도로 인한 변형과 이로 웨이퍼의 밀림현상 중점으로 분석합니다.

해석목적

 

•  Wafer Probe Card의 열변형 평가 및 정밀도 확보
•  Wafer의 밀림현상 해석

 

 

Wafer Probe Card 및 Wafer 이미지




해석모델 및 해석조건

 

Wafer Probe Card 해석

 

•  절점온도 : 90℃
•  외기온도 : 20℃
•  자연대류 경계조건 적용
•  하중조건 :
   - 각 Hole에 10g 하중적용
   - 전체 절점에 대하여 각 절점의 온도하중 적용

 

 

Wafer Probe Card의 CAD 모델(좌) - FE모델 (우)

 

Wafer 선형정적해석

 

 

해석결과

 

Wafer Probe Card 열응력/열전달해석

 

 

Wafer Probe Card의 온도분포

 

 

Wafer Probe Card의 응력분포

 

Wafer 선형정적해석

 

 

수평변위의 변위 분포(좌) - 응력 분포(우)